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CSD17308Q3

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-PowerTDFN
數(shù)量：: 15976
說(shuō)明：: MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET

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CSD17308Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：5.7 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.9 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：37 S
下降時(shí)間：2.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.2 mOhms
漏極連續(xù)電流：47 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD17308Q3的詳細(xì)信息，包括CSD17308Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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