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CSD17312Q5

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-PowerTDFN
數(shù)量:
 11369  
說明:
 MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
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CSD17312Q5-8-PowerTDFN圖片

CSD17312Q5 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

商標(biāo)名:NexFET
工廠包裝數(shù)量:2500
功率耗散:3.2 W
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :200 S
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:38 A
閘/源擊穿電壓:4.5 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD17312Q5的詳細(xì)信息,包括CSD17312Q5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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