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CSD17313Q2

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-WDFN 裸露焊盤(pán)
數(shù)量：: 11565
說(shuō)明：: MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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CSD17313Q2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：4.2 ns
商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：2.3 W
柵極電荷 Qg：2.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：16 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SON-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：26 mOhms
漏極連續(xù)電流：5 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD17313Q2的詳細(xì)信息，包括CSD17313Q2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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