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CSD16409Q3

廠家：
  Texas Instruments
封裝：
 8-PowerTDFN
數(shù)量：
 7259  
說明：
 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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CSD16409Q3-8-PowerTDFN圖片

CSD16409Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：6.3 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：10.6 ns
功率耗散：2.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：38 S
下降時間：3.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：QFN-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.2 m Ohms
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：- 12 V, + 16 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD16409Q3的詳細信息，包括CSD16409Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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