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CSD16411Q3

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-PowerVDFN
數量：: 32191
說明：: MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD16411Q3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：6 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數量：2500
上升時間：7.8 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.9 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：3.1 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：QFN-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：56 A
閘/源擊穿電壓：- 12 V, + 16 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD16411Q3的詳細信息，包括CSD16411Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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