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CSD16415Q5

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-PowerTDFN
數(shù)量:
 875  
說明:
 MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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CSD16415Q5-8-PowerTDFN圖片

CSD16415Q5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:20 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:30 ns
功率耗散:3.2 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:21 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :168 S
下降時間:12.7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-5x6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):990 mOhms
漏極連續(xù)電流:38 A
閘/源擊穿電壓:- 12 V to + 16 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD16415Q5的詳細信息,包括CSD16415Q5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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