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CSD16401Q5

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-PowerTDFN
數(shù)量：: 9325
說明：: MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD16401Q5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：30 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：168 S
下降時間：12.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：QFN-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.3 m Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：- 12 V, + 16 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD16401Q5的詳細信息，包括CSD16401Q5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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