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BUK1M200-50SDLDT/R

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SO-20
數(shù)量:
 8145  
說明:
 MOSFET TOPFET MULTICHAN FET
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BUK1M200-50SDLDT/R-SO-20圖片

BUK1M200-50SDLDT/R PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:BUK1M200-50SDLD,11
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 us
工廠包裝數(shù)量:500
上升時(shí)間:11 us
功率耗散:9.4 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:14 us
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-20
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Quad
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.38 Ohms
汲極/源極擊穿電壓:50 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:NXP

以上是BUK1M200-50SDLDT/R的詳細(xì)信息,包括BUK1M200-50SDLDT/R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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