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BUK1M200-50SGTDT/R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SO-20
數(shù)量：: 8154
說明：: MOSFET TOPFET MULTICHAN FET

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BUK1M200-50SGTDT/R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BUK1M200-50SGTD,11
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：3200 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時(shí)間：700 ns
功率耗散：9.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：1600 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-20
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.38 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.7 A
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是BUK1M200-50SGTDT/R的詳細(xì)信息，包括BUK1M200-50SGTDT/R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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