日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSZ100N06LS3 G

BSZ100N06LS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON
數(shù)量：: 3651
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

一、本商品被瀏覽0次.

BSZ100N06LS3 G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GXT SP000453672
典型關(guān)閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
功率耗散：2100 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10 mOhms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ100N06LS3 G的詳細信息，包括BSZ100N06LS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：