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BSS192PE6327T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT89
數(shù)量：: 1044
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

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BSS192PE6327T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 歐姆 @ 190mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：190mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 130µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：6.1nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：104pF @ 25V
功率 - 最大：1W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

以上是BSS192PE6327T的詳細(xì)信息，包括BSS192PE6327T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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