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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BSS209PW

BSS209PW

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT323
數(shù)量：: 1719
說明：: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

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BSS209PW PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C550 毫歐 @ 580mA, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）1.2V @ 3.5µA
閘電荷(Qg) @ Vgs1.38nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C580mA
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 89.9pF @ 15V
功率 - 最大520mW
安裝類型表面貼裝

以上是BSS209PW的詳細(xì)信息，包括BSS209PW廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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