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BSC011N03LSIXT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSDSON-8
數(shù)量：: 954
說明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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BSC011N03LSIXT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1
典型關(guān)閉延遲時間：37 ns
上升時間：8.8 ns
功率耗散：96 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：72 nC
下降時間：6.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TSDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.1 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC011N03LSIXT的詳細(xì)信息，包括BSC011N03LSIXT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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