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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BSC016N03LS G

BSC016N03LS G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON
數(shù)量：: 549
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

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BSC016N03LS G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGXT SP000237663
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：51 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時(shí)間：8.6 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：8.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.3 m Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC016N03LS G的詳細(xì)信息，包括BSC016N03LS G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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