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B65611D0000R030

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 1262  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 36X22 N30
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B65611D0000R030 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長(zhǎng)度:-
高度:0.433(11.00mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:10500
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:202
有效長(zhǎng)度 (le) mm:52
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.26
初始磁導(dǎo)率 (μi):4300
有效磁導(dǎo)率 (μe):3040
間隙:無缺口
容差:-20%,+30%
電感因數(shù) (Al):15.2 μH
直徑:1.417(36.00mm)
材料:N30
封裝:P 36 x 22
磁心類型:P(罐形磁芯)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:P36/22
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

以上是B65611D0000R030的詳細(xì)信息,包括B65611D0000R030廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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