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B65611D0000R048

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 1137
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 36X22 N48 7600 +30%-20%

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B65611D0000R048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.433（11.00mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：10500
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：-
有效面積 (Ae) mm2：202
有效長度 (le) mm：52
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.26
初始磁導(dǎo)率 (μi)：-
有效磁導(dǎo)率 (μe)：1560
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：7.6 μH
直徑：1.417（36.00mm）
材料：N48
封裝：P 36 x 22
磁心類型：P（罐形磁芯）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P36/22
系列：托盤
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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