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B65611W0000R030

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 1241
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 36X22 N30 15200 +30%-20%

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B65611W0000R030 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.433（11.00mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：11400
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：173
有效面積 (Ae) mm2：213
有效長度 (le) mm：53.5
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.25
初始磁導率 (μi)：4300
有效磁導率 (μe)：3040
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：15.2 μH
直徑：1.417（36.00mm）
材料：N30
封裝：P 36 x 22
磁心類型：P（罐形磁芯）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P36/22
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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