日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP3
數(shù)量：: 1062
說明：: MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3

一、本商品被瀏覽0次.

APTM10DDAM09T3G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型2 個 N 溝道（雙）
FET 特點標(biāo)準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 69.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs350nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C139A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 9875pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝

以上是APTM10DDAM09T3G的詳細信息，包括APTM10DDAM09T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：