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APTM10DDAM19T3G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP3
數(shù)量：: 1071
說(shuō)明：: MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3

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APTM10DDAM19T3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C21 毫歐 @ 35A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C70A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 5100pF @ 25V
功率 - 最大208W
安裝類(lèi)型底座安裝

以上是APTM10DDAM19T3G的詳細(xì)信息，包括APTM10DDAM19T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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