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APTM100H46FT3G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 1788
說明：: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

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APTM100H46FT3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：SP3
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：357W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6800pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：260nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：552 毫歐 @ 16A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A
漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）
FET 功能：-
配置：4 N 溝道（半橋）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：POWER MOS 8?
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是APTM100H46FT3G的詳細(xì)信息，包括APTM100H46FT3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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