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APTM100H80FT1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP1
數(shù)量：: 909
說明：: MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1

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APTM100H80FT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型4 N 通道（半橋）
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C960 毫歐 @ 9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 3876pF @ 25V
功率 - 最大208W
安裝類型底座安裝

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