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APTM100H45FT3G

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 2382  
說明:
 MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
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APTM100H45FT3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型4 N 通道(半橋)
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫歐 @ 9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs154nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 4350pF @ 25V
功率 - 最大357W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100H45FT3G的詳細(xì)信息,包括APTM100H45FT3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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