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APTM100DA33T1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP1
數(shù)量：: 792
說明：: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

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APTM100DA33T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C396 毫歐 @ 18A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs305nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C23A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 7868pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100DA33T1G的詳細信息，包括APTM100DA33T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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