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AGR19030EF

廠家:
  TriQuint Semiconductor
封裝:
 19030EF
數(shù)量:
 3276  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor
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AGR19030EF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Power
功率耗散:87.5 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 65 C
封裝形式:19030EF
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:15 V
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:6 W
增益:16 dB
頻率:930 MHz to 960 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:TriQuint

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