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AGR19060EF

廠家：: TriQuint Semiconductor
封裝：: 19060EF
數(shù)量：: 3294
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor

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AGR19060EF PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

產(chǎn)品類型：RF MOSFET Power
功率耗散：175 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
封裝形式：19060EF
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：15 V
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：12 W
增益：15.5 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：TriQuint

以上是AGR19060EF的詳細(xì)信息，包括AGR19060EF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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