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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > 2N7002E-T1

2N7002E-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23 (TO-236)
數(shù)量：: 5382
說明：: MOSFET 60V 0.24A T&R

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2N7002E-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：0.35 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23 (TO-236)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：240 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N7002E-T1的詳細信息，包括2N7002E-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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