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2N7002ET1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：: 873312
說明：: MOSFET NFET SOT23 60V 115mA 7mOhm

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2N7002ET1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：4.8 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：1.2 ns
功率耗散：300 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：1.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2500 mOhms
漏極連續(xù)電流：0.26 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是2N7002ET1G的詳細(xì)信息，包括2N7002ET1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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