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2N7002ET1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 873312  
說明:
 MOSFET NFET SOT23 60V 115mA 7mOhm
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2N7002ET1G-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

2N7002ET1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:4.8 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:1.2 ns
功率耗散:300 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:1.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2500 mOhms
漏極連續(xù)電流:0.26 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是2N7002ET1G的詳細信息,包括2N7002ET1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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