| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NGP15N41CLG | ON Semiconductor | TO-220 | IGBT 晶體管 15A 410V Ignition | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：440 V，集電極—射... | ||||||
|
NGP8203N | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶體管 IGBT TO220 400V 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：440 V，柵極/發(fā)射... | ||||||
|
NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
|
|
NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 1200V/15A IGBT LPT TO-247 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2.2 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
|
NGTB15N60EG | ON Semiconductor | TO-220AB | IGBT 晶體管 15A 600V IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.95 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
|
|
NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | TO-220AB | IGBT 晶體管 15A 600V IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.7 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：2... | ||||||
|
|
NGTB20N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
|
|
NGTB20N120IHSWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 1200/20A IGBT LPT TO-247 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，... | ||||||
|
|
NGTB20N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 1200V/20A IGBT FSI TO-247 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2.2 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
|
|
NGTB25N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
|
|
NGTB25N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 1200/25A IGBT LPT TO-247 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
|
|
NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | TO-220AB | IGBT 晶體管 15A 600V IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.95 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
|
NGB8202ANT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 IGNITION IGBT 20A 400V | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：440 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
|
|
NGB8202NT4 | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 20A 400V Ignition | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，封裝形式：TO-263-3，包裝形式：Reel，安裝風格：SMD/SMT，工... | ||||||
|
|
NGB8202NT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 20A 400V Ignition N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：440 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V... | ||||||
|
|
NGB8204ANT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：430 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：18 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
|
|
NGB8206ANSL3G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：390 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
|
|
NGB8206ANT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：390 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
|
NGB8206ANTF4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：390 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
|
|
NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：365 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
11/234 首頁 上頁 [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] 下頁 尾頁
