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NGTB25N120IHLWG

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 270  
說明:
 IGBT 晶體管
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NGTB25N120IHLWG-TO-247-3圖片

NGTB25N120IHLWG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝形式:TO-247
功率耗散:250 W
在25 C的連續(xù)集電極電流:50 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NGTB25N120IHLWG的詳細(xì)信息,包括NGTB25N120IHLWG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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