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NGTG15N60S1EG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 288
說明：: IGBT 晶體管 15A 600V IGBT

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NGTG15N60S1EG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

安裝風格：Through Hole
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
功率耗散：47 W
柵極—射極漏泄電流：100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：30 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
集電極—射極飽和電壓：1.95 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGTG15N60S1EG的詳細信息，包括NGTG15N60S1EG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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