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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看SI4500BDY-T1-E3參考圖片 SI4500BDY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 1...
點(diǎn)擊查看SI4500BDY-T1-GE3參考圖片 SI4500BDY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 20V 9.1/5.3A 2.5W 20/60mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 1...
SI4500DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續(xù)電流:7...
SI4500DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 1...
SI4500DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 1...
SI4500DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 1...
SI4501ADY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30/8V 8.8/5.7A 1.3W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
點(diǎn)擊查看SI4501ADY-T1-E3參考圖片 SI4501ADY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30/8V 8.8/5.7A
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
點(diǎn)擊查看SI4501ADY-T1-GE3參考圖片 SI4501ADY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30/8.0V 8.8/5.7A 18/42mohm @ 10/4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
點(diǎn)擊查看Si4501BDY-T1-GE3參考圖片 Si4501BDY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC 165 MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, - 8 V,閘/源擊穿電...
SI4501DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30/8V 9/6.2A
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V, +/...
SI4501DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30/8V 9/6.2A
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
SI4501DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30/8 9/6.2A
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
SI4501DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow 159 MOSFET 30/8 9/6.2A
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
SI4505DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30/8V 7.8/5.0A 1.2W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
點(diǎn)擊查看SI4505DY-T1-GE3參考圖片 SI4505DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V,閘/源擊穿電壓:...
點(diǎn)擊查看SI4511DY-T1-E3參考圖片 SI4511DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+ /- ...
點(diǎn)擊查看SI4511DY-T1-GE3參考圖片 SI4511DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 20V 9.6/6.2A 2.0W 14.5/33mohm@10/4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+ /- ...
SI4532ADY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:4...
SI4532ADY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 2...

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