Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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VP0300B-E3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 30V 3A 6.25W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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VP0300L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 30V 0.32A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.32 A，... | ||||||
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VP0300LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 30V 0.5A 0.9W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.5 A，電... | ||||||
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VP0610L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.18A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.18 A，... | ||||||
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VP0610T | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 60V 0.12A 0.36W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.12 A，... | ||||||
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VP0808B | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 80V 3A 6.25W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，... | ||||||
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VP0808B-E3 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 80V 3A 6.25W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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VP0808L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 80V 0.28A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.28 A，... | ||||||
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VP1008B | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 100V 5 OHM | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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VP1008L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 100V 5 OHM | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.28 A... | ||||||
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VP2020L | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 200V 0.12A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 0.... | ||||||
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VP2410L | Vishay/Siliconix | TO-226AA | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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VN2010L | Vishay/Siliconix | TO-226AA | MOSFET 200V 0.19A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.19 A... | ||||||
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VN3515L | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 350V 0.015A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：350 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.15 A... | ||||||
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VN50300L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 500V 0.33A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.033 ... | ||||||
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VN50300T | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 500V 0.33A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.022 ... | ||||||
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VN46AFD | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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VN4012L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 400V 0.16A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.16 A... | ||||||
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VN1206L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 120V 0.23A 0.6W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.23 A... | ||||||
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VN2222L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.23A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：- 0.3 V, 15 V，漏極連續(xù)電流：0.... | ||||||
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