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VP1008B

廠(chǎng)家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-39
數(shù)量：: 6903
說(shuō)明：: MOSFET 100V 5 OHM

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VP1008B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：200
上升時(shí)間：30 ns
功率耗散：6.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：20 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-205AD
安裝風(fēng)格：Stud
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.79 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 100 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：過(guò)渡期間
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VP1008B的詳細(xì)信息，包括VP1008B廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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