點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：360 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-236-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10000 mOhms
漏極連續(xù)電流：0.12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是VP0610T的詳細信息，包括VP0610T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

R6006ANDTL

IRF9640PBF-BE3

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2