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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IRFBE30LPBF參考圖片 IRFBE30LPBF Vishay/Siliconix I2PAK MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE30PBF參考圖片 IRFBE30PBF Vishay/Siliconix TO-220AB MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE30S參考圖片 IRFBE30S Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE30SPBF參考圖片 IRFBE30SPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20參考圖片 IRFBF20 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20L參考圖片 IRFBF20L Vishay/Siliconix TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20LPBF參考圖片 IRFBF20LPBF Vishay/Siliconix TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20PBF參考圖片 IRFBF20PBF Vishay/Siliconix TO-220AB 1,000 MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20S參考圖片 IRFBF20S Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20SPBF參考圖片 IRFBF20SPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 960 MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20STRL參考圖片 IRFBF20STRL Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20STRLPBF參考圖片 IRFBF20STRLPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20STRR參考圖片 IRFBF20STRR Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF20STRRPBF參考圖片 IRFBF20STRRPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF30參考圖片 IRFBF30 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF30PBF參考圖片 IRFBF30PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 980 MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF30S參考圖片 IRFBF30S Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF30SPBF參考圖片 IRFBF30SPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBF30STRLPBF參考圖片 IRFBF30STRLPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 1,026 MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBG20參考圖片 IRFBG20 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,...

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