Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXTA160N10T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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IXTA160N10T7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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IXTA16N50P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：16 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA170N075T2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 170 Amps 75V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：170 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA180N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA180N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTA180N085T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片） | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTA180N10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 237 | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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IXTA180N10T7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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IXTA182N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：182 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTA182N055T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片） | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：182 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTA18P10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA1N100 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 553 | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：1.5 A，電... | ||||||
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IXTA1N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 52 | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，電... | ||||||
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IXTA1N120P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA1N80 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻汲極... | ||||||
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IXTA1R4N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 410 | MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.4 A，電... | ||||||
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IXTA1R4N120P | Ixys | TO-263AA | 100 | MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.4 A，電... | ||||||
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IXTA1R6N100D2 | Ixys | TO-263AA | 1 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXTA1R6N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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