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IXTA1R4N100P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 5297  
說明:
 MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
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IXTA1R4N100P-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IXTA1R4N100P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:65 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:35 ns
功率耗散:63 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:28 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):11 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTA1R4N100P的詳細信息,包括IXTA1R4N100P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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