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IXTA1N120P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 6750  
說明:
 MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
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IXTA1N120P-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IXTA1N120P PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:54 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:28 ns
功率耗散:63 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:27 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):20 Ohms
漏極連續(xù)電流:1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTA1N120P的詳細信息,包括IXTA1N120P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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