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Ixys

Ixys

IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IXFR9N80Q參考圖片 IXFR9N80Q Ixys ISOPLUS247? MOSFET 9 Amps 800V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Box,工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1,...
點(diǎn)擊查看IXFT10N100參考圖片 IXFT10N100 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:10 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT120N15P參考圖片 IXFT120N15P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:120 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT12N100參考圖片 IXFT12N100 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT12N100F參考圖片 IXFT12N100F Ixys TO-268 MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT12N100Q參考圖片 IXFT12N100Q Ixys TO-268AA MOSFET 12 Amps 1000V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻...
IXFT12N50F Ixys TO-268 MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT12N90Q參考圖片 IXFT12N90Q Ixys TO-268AA MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT13N100參考圖片 IXFT13N100 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 1KV 12.5A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看IXFT13N80Q參考圖片 IXFT13N80Q Ixys TO-268AA MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:13 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT140N10P參考圖片 IXFT140N10P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA 34 MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:140 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT14N100參考圖片 IXFT14N100 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:14 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT14N80P參考圖片 IXFT14N80P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,漏極連續(xù)電流:14 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.7 Ohms,安裝風(fēng)格:SMD/SMT,封裝形式:TO-268,包裝...
IXFT15N100 Ixys TO-268 MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:15 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT15N100Q參考圖片 IXFT15N100Q Ixys TO-268AA MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:15 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT15N100Q3參考圖片 IXFT15N100Q3 Ixys TO-268AA 20 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:15 A,電阻汲極/源...
點(diǎn)擊查看IXFT15N80Q參考圖片 IXFT15N80Q Ixys TO-268AA MOSFET 15 Amps 800V 0.6 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:15 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT16N120P參考圖片 IXFT16N120P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA 382 MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連續(xù)電流:16 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IXFT16N80P參考圖片 IXFT16N80P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連續(xù)電流:16 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT16N90Q參考圖片 IXFT16N90Q Ixys TO-268AA MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:16 A,電阻汲...

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