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ZXMN3F31DN8TA

廠家:
  Diodes Inc. / Zetex
封裝:
 8-SO
數(shù)量:
 8869  
說明:
 MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
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ZXMN3F31DN8TA-8-SO圖片

ZXMN3F31DN8TA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:3.3 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.024 Ohms
漏極連續(xù)電流:7.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXMN3F31DN8TA的詳細(xì)信息,包括ZXMN3F31DN8TA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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