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ZXMN3B04N8TC

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 3348
說明：: MOSFET 30V N Chnl UMOS

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ZXMN3B04N8TC PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：11.5 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：16.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.025 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN3B04N8TC的詳細(xì)信息，包括ZXMN3B04N8TC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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