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ZXMN3A04DN8TA

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 23818
說明：: MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

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ZXMN3A04DN8TA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：38.1 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時間：6.1 ns
功率耗散：2.15 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.03 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN3A04DN8TA的詳細(xì)信息，包括ZXMN3A04DN8TA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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