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UMW1NTR

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 UM-5
數(shù)量:
 8883  
說明:
 兩極晶體管 - BJT DUAL NPN/NPN
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UMW1NTR PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:150 mW
直流電流增益 hFE 最大值:120 at 1 mA at 6 V
封裝形式:UM-5
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120 at 1 mA at 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:180 MHz
最大直流電集電極電流:0.15 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ROHM Semiconductor

以上是UMW1NTR的詳細信息,包括UMW1NTR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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