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EMB10FHAT2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: EMT6
數(shù)量：: 5706
說明：: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

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EMB10FHAT2R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：150mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：47 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：2.2 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是EMB10FHAT2R的詳細信息，包括EMB10FHAT2R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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