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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TSM1N60SCT

TSM1N60SCT

廠家：: Taiwan Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 1989
說明：: MOSFET 600V 1A N channel MOSFET

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TSM1N60SCT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：A3
典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數(shù)量：2000
上升時間：20 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：24 ns
包裝形式：Ammo
封裝形式：TO-92
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：13 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

以上是TSM1N60SCT的詳細(xì)信息，包括TSM1N60SCT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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