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TPN22006NH,LQ

廠(chǎng)家:
  Toshiba
封裝:
 8-PowerVDFN
數(shù)量:
 4158  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
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TPN22006NH,LQ-8-PowerVDFN圖片

TPN22006NH,LQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns
上升時(shí)間:4.6 ns
功率耗散:18 W
柵極電荷 Qg:12 nC
下降時(shí)間:3.3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSON-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):18 mOhms
漏極連續(xù)電流:21 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是TPN22006NH,LQ的詳細(xì)信息,包括TPN22006NH,LQ廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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