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TPN2R503NC,L1Q

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-PowerVDFN
數(shù)量：: 4194
說明：: MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

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TPN2R503NC,L1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：68 ns
上升時間：9 ns
功率耗散：35 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：40 nC
下降時間：24 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：85 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN2R503NC,L1Q的詳細信息，包括TPN2R503NC,L1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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