TPN1110ENH,L1Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-PowerVDFN
數(shù)量：: 19006
說明：: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

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TPN1110ENH,L1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：8-PowerVDFN
封裝/外殼：8-TSON Advance（3.1x3.1）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
同步整流器：700mW（Ta），39W（Tc）
頻率 - 開關(guān)：-
電流 - 輸出：600 pF @ 100 V
電壓 - 輸出（最大值）：±20V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：7 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：4V @ 200μA
電壓 - 輸入（最小值）：114 毫歐 @ 3.6A，10V
輸出數(shù)：10V
輸出類型：7.2A（Ta）
拓?fù)洌?00 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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