中文參數(shù)如下： 工廠包裝數(shù)量：4000 上升時間：28 ns 功率耗散：1.7 W 最小工作溫度：- 55 C 下降時間：57 ns 封裝形式：STP-4 安裝風(fēng)格：SMD/SMT 最大工作溫度：+ 150 C 配置：Dual Common Drain 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.031 Ohms 漏極連續(xù)電流：6 A 閘/源擊穿電壓：+/- 12 V 汲極/源極擊穿電壓：20 V 晶體管極性：N-Channel RoHS：是 產(chǎn)品種類：MOSFET 制造商：Toshiba
