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TPCF8B01(TE85L,F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 VS-8
數(shù)量:
 2700  
說明:
 MOSFET PW TR with SBD P-Ch -20V -2.7A
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TPCF8B01(TE85L,F)-VS-8圖片

TPCF8B01(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:4000
上升時間:5 ns
功率耗散:1.35 W
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:VS-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.11 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.7 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TPCF8B01(TE85L,F)的詳細信息,包括TPCF8B01(TE85L,F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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